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韩厂进入14纳米平面NAND时代 三星、SK海力士2016年相继投产

韩国两大存储器厂前进14纳米平面NANDFlash时代。三星电子(Samsung Electronics)传出将于2016年量产,而SK海力士(SK Hynix)则预定在新的一年结束研发作业,并导入量产体制。

  韩媒ET News报导,三星14纳米平面NAND Flash研发已完成,将于2016年上半投产。三星预定于新年1月31日在美国旧金山所举办的ISSCC上,公开14纳米NAND研发成果。至于目前正在量产16纳米的SK海力士,也进入了14纳米NAND Flash的研发。据悉,SK海力士计划将于2016年上半结束研发,并于年内展开量产。

  另一方面,日本、美国存储器厂则没有技术升级的计划。东芝(Toshiba)曾表示,15纳米已是极限,无法再研发出低于15纳米的平面产品。美光(Micron)则是打算集中在与英特尔(Intel)一同研发的3D XPoint技术。

  三星14纳米NAND Flash与16纳米产品相较时, 14纳米NAND Flash浮动闸极(Floating Gate)约缩减12.5%,晶粒面积缩小,对降低NAND Flash生产成本将带来贡献。

  NAND Flash以在浮动闸极中存放或移出电子(Electron)区分1和0,并借此读写与消除资料。若电路线宽更加微细化,浮动闸极的面积也会跟着缩小,导致能储存的电子个数减少。而浮动闸极面积持续缩小,可能经常发生资料读写错误的情况,也让研发难度更高。15~16纳米NAND Flash可以在浮动闸极上储存的电子数不到10个,而14纳米则将会更少。NAND Flash研发始祖的东芝会宣布15~16纳米NAND Flash是平面NAND极限的原因也在于此。

  14纳米平面NAND Flash是否为每个Cell能储存3 bit的TLC(Triple Level Cell)产品也是业界的关注焦点。虽然许多分析都认为,可以储存的电子个数过少,因此难度相当高。但倘若研发成功的话,将可以成功地降低成本。

  而此次三星研发完成的14纳米平面NAND Flash则是每个Cell可以储存2 bit的MLC(Multi Level Cell)128 Gb产品。量产则将以内嵌式存储器(eMMC)、UFS(Universal Flash Storage)介面供应。

  韩国业界人士表示,虽然三星此次成功研发14纳米平面NAND Flash,而SK海力士也开始着手研发,不过除了浮闸有其极限外,以目前的液浸曝光(Immersion exposure)设备生产10纳米级产品,费用将非常高昂难以获利,所以14纳米应会成为末代的平面NAND Flash,其后研发方向将朝提高堆叠层数,透过增加集积度压低生产成本。

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